Galaxy S9 może mieć 512 GB pamięć wewnętrzną nowej generacji

Firma Samsung poinformowała o starcie masowej produkcji, pierwszej 512 GB pamięci typu eUFS następnej generacji. Trafi ona do nowych smartfonów, tabletów i wearables.

Samsung nie próżnuje. Firma właśnie poinformowała o starcie masowej produkcji pamięci wewnętrznej nowej generacji. Jest nią 512 GB wariant pamięci typu eUFS (Universal Flash Storage). Niniejszy podzespół wkrótce zacznie pojawiać się w urządzeniach mobilnych takich, jak smartfony, tablety czy wearables.

Wspomniana, 512 GB pamięć eUFS pozwoli na przechowanie około 130 dziesięciominutowych filmików w jakości 4K UHD (3840×2160). Mowa o dziesięciokrotnym wzroście pojemności względem 64 GB pamięci eUFS. Przedstawiciel Samsunga – Han Jae-soo stwierdził, że niniejszy podzespół z powodzeniem przebija ograniczenia wydajności, które mogą zdarzyć się w przypadku korzystania z kart microSD.

Do stworzenia kolejnej generacji pamięci, Samsung wykorzystał nowe technologie (w tym zaawansowany design obwodów, nowe kontrolery, czy technologię zarządzania energią). Pamięć potrafi odczytywać i zapisywać dane z szybkością do 860 MB/s i 255 MB/s. Transfer 5 GB filmu nagranego w jakości HD na dysk SSD zajmie tylko niecałe sześć sekund. To osiem razy szybciej niż wyniósłby czas zgrywania takiego materiału z karty microSD.

Wydaje się jasne, że tego typu pamięć mogłaby (a właściwie powinna) znaleźć się na pokładzie nadchodzącego Samsunga Galaxy S9. Wtedy jednak cena za smartfona poszybowałaby ostro w górę. W tym momencie możemy jedynie spekulować, że tak się stanie, aczkolwiek prędzej czy później na smartfony Koreańczyków zapewne trafi opisywane rozwiązanie.

Źródło: Samsung