Nie tak dawno temu mieliśmy premierę Galaxy S6 i S6 Edge, lecz już trwają przymiarki do jego następcy. Według najnowszych informacji, Qualcomm dostarczył Koreańczykom nową wersję swojego flagowego produktu.
Nie jest to pierwszy raz gdy piszę na łamach serwisu o tym, że trwają testy Samsunga Galaxy S7 z wyposażonego w Snapdragona 820. Ewentualna wersja z tym SoC będzie dostępna tylko na wybranych rynkach. Oprócz tego informatorzy donoszą, że Qualcomm dostarczył Samsungowi jeszcze lepszą wersję (3.X) swojego flagowego układu. Podobno poświęcono wiele czasu na jego optymalizację.
W rezultacie, najnowsza edycja zawierająca cztery autorskie rdzenie Kryo, GPU Adreno 530, w całości zbudowana jest na 14 nm procesie technologicznym FinFET, ale mimo to będzie pobierała jeszcze mniej energii. Ogólna wydajność podniesie się o około 10%. Podobno mimo to zostaje wiele miejsca na dalsze ulepszenia. Sporo z Was zapewne zastanawia się, jak przekłada się to na nagrzewanie, które według wielu źródeł było piętą achillesową poprzedniej edycji (jak jest naprawdę przeczytacie tutaj). Spieszę z odpowiedzią. Otóż w tym wypadku ma być o wiele lepiej, ale konkretne liczby nie zostały niestety podane.
Biorąc pod uwagę te wszystkie informacje, teoretycznie Snapdragon 820 może osiągnąć magiczny pułap 3 GHz taktowania na pojedynczym rdzeniu. To może przechylić szalę i Samsung zdecyduje się jednak na jego zastosowanie w Galaxy S7. Wiele wskazuje na to, że niezależnie od tego jaki SoC zastosują Koreańczycy, najnowszy flagowiec zdominuje wszelkie benchmarkowe rankingi.
Źródło: PhoneArena
Na stronie mogą występować linki afiliacyjne lub reklamowe.
