Nadciąga spory zapas mocy do flagowych smartfonów. Dzięki Samsungowi

Praktycznie każdego roku na rynek trafiają smartfony z przełomowymi funkcjami. Wydaje się jednak, że teogoroczny, 2018, nie jest pod tym względem zbyt obifty, za to kolejny – cóż, szykują się naprawdę wydajne sprzęty, i to co najmniej z dwóch powodów.

Rok 2018, jeśli chodzi o istotne nowinki, nie jest szczególnie okazały, a przynajmniej ja odnoszę takie wrażenie. Może odnoszę tylko takie wrażenie, bo wszystkie techniczne nowalijki przysłonił pęd za notchem i bezramkowością, przez co niektóre premiery nowych urządzeń i slogany reklamowe im towarzyszące brzmią po prostu niezwykle komicznie. A i owszem – na rynek trafił nowy Snapdragon, który zagwarantował odpowiedni wzrost wydajności w stosunku do poprzednich SoC, wiele smartfonów zaczęło otrzymywać 8 GB RAM, ale przełomowych technologii, które mogły wpłynąć na osiągi topowych sprzętów, chyba jednak nie było.

Nowe pamięci, nowy RAM, nowa jakość?

Wygląda jednak na to, że kolejny rok przyniesie co najmniej dwie istotne zmiany – i choć na co dzień nie zwracamy na te parametry zbyt dużej uwagi. A mowa o pamięci wewnętrznej i pamięci RAM, które już niebawem mogą doczekać się naprawdę solidnych zmian. Ich prekursorem ma być z kolei Samsung – wedle informacji przekazanych przez leakstera Ice Universe, Koreańczycy pracują bowiem nad pamięcią wewnętrzną w formacie UFS 3.0 oraz RAM LPDDR5. Ich produkcja ma rozpocząć się już w drugiej połowie roku, a więc z dużym prawdopodobieństwem można założyć, że trafią one do smartfonów, które pojawią się na rynku już na początku 2019 roku.

Co przyniosą nowe komponenty, które zapewne jako pierwsze znajdą zastosowanie w najnowszym flagowcu Samsunga, czyli Galaxy S10? Nowe kości RAM przyniosą sporą różnicę w energooszczędności wynoszącą 15% – podobnie powinien także wyglądać wzrost wydajności, co w połączeniu z zapewne nowym procesorem od Qualcomma powinno dać naprawdę bardzo przyjemny dla końcowego użytkownika efekt. Dużo lepiej przedstawiają się natomiast parametry nadchodzących pamięci UFS 3.0 – pod względem przepustowości i szybkości działania mają prezentować się nawet dwukrotnie lepiej niż stosowane dotychczas pamięci UFS 2.1, przy jednoczesnym zmniejszeniu zapotrzebowania na energię.

Gdy dodamy do tego fakt, że Samsung pracuje nad zupełnie nowymi rdzeniami Mongoose mającymi zasilić wydajność Exynosa 9820, który wedle zapowiedzi Koreańczyków zostawi w tyle nadchodzącego Snapdragona 855, to przyszły rok dla sprzętów koreańskiego koncernu szykuje się naprawdę znakomicie. Ale nie tylko dla nich – komponenty produkowane przez tę firmę znajdą się zapewne w znakomitej większości przyszłorocznych flagowców, więc cóż – może to dobry pomysł, by odpuścić tegoroczne urządzenia i zaoszczędzić na przyszłoroczne smartfony?

źródło: gizmochina