Quick Charge 3.0. Tak szybkiego ładowania jeszcze nie było

Amerykański koncern Qualcomm zapowiedział trzecią generację technologii szybkiego ładowania dla urządzeń mobilnych, która stosowana będzie w smartfonach oraz tabletach debiutujących w 2016 roku.

Nowa generacja technologii szybkiego ładowania opracowana przez firmę Qualcomm otrzymała nazwę Quick Charge 3.0 i jak wskazuje nomenklatura jest już trzecią generacją. Dzięki Quick Charge 3.0 można naładować typowy akumulator zastosowany w smartfonie od zera do 80 procent w około 35 minut. Dla porównania, w tradycyjnych urządzeniach mobilnych bez szybkiego ładowania proces ten będzie trwał przez około godzinę i trzydzieści minut.

W celu jeszcze efektywniejszego zarządzania energią, Qualcomm Technologies zastosował nowy algorytm (INOV), który jest w stanie określić wymagany pobór energii w celu utrzymania optymalnego ładowania, przy jednoczesnej maksymalizacji wydajności.

Szybkie ładowanie trzeciej generacji opracowane przez Qualcomm dzięki zastosowaniu technologii INOV, a także innych usprawnień ma być do 38 procent bardziej efektywne niż Quick Charge 2.0. Ponadto redukuje straty mocy nawet o 45% w porównaniu do szybkiego ładowania 2.0 oraz naładuje akumulator dwa razy szybciej niż Quick Charge 1.0.

Quick Charge 3.0 zapewnia elastyczność napięcia ładowania – od 3.6V do 20V, podczas gdy technologia Quick Charge 2.0 wspierała cztery napięcia ładowania – 5V, 9V, 12V i 20V. Ma to na celu zapewnienie jeszcze lepszej efektywności podczas ładowania, a także zminimalizowanie strat. Nie można zapomnieć także o wsparciu dla portów USB typu C.

Technologia Quick Charge 3.0 wspierana będzie przez pięć najnowszych układów SoC opracowanych przez Qualcomm – Snapdragon 820, Snapdragon 620, Snapdragon 618, Snapdragon 617 i Snapdragon 430. Pierwsze urządzenia powinny pojawić się w przyszłym roku.

A na koniec ciekawostka. Do tej pory istnieje ponad 40100 urządzeń mobilnych i akcesoriów z certyfikatem Quick Charge 2.0.