Redmi K50 GE będzie jeszcze lepszy: dostał ekspresowe i świetnie przemyślane ładowanie

Xiaomi Redmi K50 GE (Gaming Edition) zdradza kolejne imponujące szczegóły specyfikacji. Smartfona naładujemy ekspresowo i wygodnie podczas grania, a do tego producent zadba o to, aby sprzęt był chłodny nawet podczas intensywnych rozgrywek.

Do premiery Redmi K50 Gaming Edition pozostało już naprawdę niewiele czasu – debiut w Chinach zaplanowany jest już na środę, 16 lutego. Dziś, dwa dni przed premierą Xiaomi zdradza kolejne szczegóły dotyczące specyfikacji gamingowego flagowca.

Redmi K50 GE zaskoczy ładowaniem

Jak się okazuje, smartfon zostanie wyposażony w baterię 4700 mAh, którą naładujemy z błyskawiczną prędkością. Redmi K50 GE naładujemy w zaledwie 17 minut, a to dzięki mocy ładowania 120 W. Według producenta to idealne rozwiązanie dla graczy, którzy zdecydują się na zakup smartfona Xiaomi.

Plakat zdradza również, że końcówka kabla ładującego została zaprojektowana tak, aby nie przeszkadzać nawet podczas intensywnej rozgrywki. Do tego ulepszony system chłodzenia (o powierzchni 4860 cm²) zadba o nieprzegrzewanie się Redmi K50 GE. Prezes Redmi zdradził już również, że smartfon wyposażony zostanie w wielobiegunową baterię MTW, która wytwarza mniej ciepła.

Takie ulepszenia na pewno się przydadzą, jako że sercem Redmi K50 GE zostanie Qualcomm Snapdragon 8 Gen1, który może mieć tendencje do przegrzewania, szczególnie podczas intensywnego korzystania ze smartfona.

Wśród intrygujących nowości Redmi K50 GE znalazł się również sensor anti-flicker, o którym w swoim wpisie pisał już Dawid. Nie zabraknie też ekranu z odświeżaniem 120 Hz i próbkowaniem dotykowym 480 Hz czy ochrony ze strony Corning Gorilla Glass Victus. Wisienką na torcie będzie tu potrójny moduł aparatu z czujnikiem 64 MP, a także kamerka do selfie 20 MP.

Sprawdź także:

https://www.gsmmaniak.pl/1290513/redmagic-7-dwa-procesory-qualcomm/

Źródło