Redmi K50 GE w pełnej krasie! Dostanie ważne poprawki i ładowanie 120 W

Xiaomi Redmi K50 GE (Gaming Edition) zadebiutuje za kilka dni. Jego mocarna specyfikacja będzie oparta na procesorze Snapdragon 8 Gen 1, przeprojektowany układ chłodzenia oraz niesamowite ładowanie 120 W.

W najbliższych dniach spodziewajmy się natłoku informacji o Xiaomi Redmi K50 GE, czyli edycji gamingowej i jednocześnie najmocniejszej z całej serii Redmi K50. Telefon będzie przeznaczony do grania w najbardziej wymagające tytuły, ale jednocześnie nie będzie przerażał siermiężnym designem.

Redmi K50 GE odsłania się w pełnej krasie

W zasadzie – Redmi K50 GE wygląda jak zwyczajny smartfon, ale posiada kilka wyróżniających go elementów:

Błękitna obudowa, manualne klawisze oraz zgrabna ramka na aparaty fotograficzne będą połową sukcesu Redmi K50 GE – druga połowa znajdzie się w środku obudowy. Tam czekają nas ważne zmiany w postaci przeprojektowanego układu chłodzenia. Jego powierzchnia ma wynosić 4860 centymetry kwadratowe.

Układ chłodzenia nowego Redmi będzie niezwykle istotny, odkąd wiemy, że procesor Snapdragon 8 Gen 1 ma problemy z przegrzewaniem – tak, jak jego poprzednik. Chłodzenie okaże się również nieoceniony przy utrzymywaniu temperatur w ryzach podczas ładowania.

Na pokład Redmi K50 GE ma trafić ładowanie o mocy aż 120 W, które podniesie temperaturę panującą we wnętrzu obudowy. Pomniejszych zmian w specyfikacji flagowca będzie więcej i możemy do nich zaliczyć ulepszenie manualnych przycisków na bocznej ramie, metalowe obwódki wokół obiektywów oraz optymalizacje w oprogramowaniu – gry mają śmigać w 90 fps przy chłodnej obudowie.

Koniecznie przeczytaj:

https://www.gsmmaniak.pl/1289880/realme-gt-neo-3-grafika-design-specyfikacja/

Źródło